ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF Au SCHOTTKY CONTACTS EVAPORATED ON PULSED ELECTRON BEAM ANNEALED N-TYPE (100) SILICON

Résumé
Des diodes Schottky ont été réalisées sur du silicium de type N dont la surface a subi un recuit par bombardement électronique pulse (P.E.B.A.). Au-delà d'un seuil situé aux environs de 1.0 J/cm², le recuit P.E.B.A. provoque une forte détérioration des caractéristiques électriques des diodes, une diminution de la barrière de potentiel au contact Au-Si(N) et une augmentation rapide du facteur d'idéalité. Des mesures de capacités montrent qu'une forte concentration de donneurs est introduite par le recuit P.E.B.A. Leur concentration superficielle, pouvant dépasser 10¹⁶ cm^-3, et leur profil ont été déterminés par des oxydations anodiques successives. En outre, une amélioration sensible des caractéristiques des diodes est obtenue lorsque le traitement P.E.B.A. est suivi d'un recuit thermique isochrone sous hydrogène durant 30 minutes jusqu'à 600°C.

Abstract
Gold Schottky contacts were deposited on Pulsed Electron Beam Annealed (P.E.B.A.) virgin N-type (100) silicon. Above a 1 J/cm² fluence threshold a strong degradation of the Schottky diodes I(V) characteristics has been observed with a drop of the barrier height and a fast increase of the ideality factor. Moreover, capacitance measurements combined with oxide stripping have shown that donor centers in excess of 10¹⁶ cm^-3 are generated in the P.E.B.A. induced regrowth layer. Isochronal thermal annealing under H² atmosphere was performed on P.E.B.A. processed samples before depositing the Gold contacts. Improvement of the diode characteristics have been obtained when increasing the annealing temperature up to 600°C.