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J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C5, Octobre 1983
Interactions Laser-Solides, Recuits par Faisceaux d'Energie / Laser-Solid Interactions and Transient Thermal Processing of Materials
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| Page(s) | C5-303 - C5-306 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983545 | |
J. Phys. Colloques 44 (1983) C5-303-C5-306
DOI: 10.1051/jphyscol:1983545
RECUIT D'IMPLATATION PAR FAISCEAU D'ÉLECTRONS BALAYÉS
C. Jaussaud1, B. Biasse1, A.M. Cartier1 et A. Bontemps21 L.E.T.I., Commissariat à l'Energie Atomique, 85 X, 38041 Grenoble Cedex, France
2 U.S.M., 38041 Grenoble Cedex, France
Résumé
Des échantillons de silicium dopés au Bore par implantation (BF2 30 Kev, 1015 ions x cm-2) ont été recuits à l'aide d'un faisceau d'électrons balayés, à des températures allant de 1000 à 1200°C. Les courbes de R[MATH] en fonction du temps de recuit présentent un minimum. Des dosages de Bore par réaction nucléaire ont montré que l'augmentation du R[MATH] pour les temps de recuit importants est due à une exodiffusion du Bore. Les mesures de profondeur de jonction par spreading résistance sur biseau indiquent des redistributions de quelques centaines d'Å à 1000 Å.
Abstract
Samples of ion implanted silicon (BF2, 30 Kev, 1015 ions x cm-2) have been annealed with a multiple scan electron beam, at temperatures ranging from 1000 to 1200° C. The curves of sheet resistance versus time show a minimum. RBS measurements of the amount of Boron remaining after annealing show that the increase in sheet resistance is due to a loss of Boron. The increase in junction depths, measured by spreading resistance on bevels is between a few hundred Å and 1000 Å.