ANALYSIS AND ORIGIN OF POINT DEFECTS IN SILICON AFTER LIQUID PHASE TRANSIENT ANNEALING

Résumé
Nous présentons une revue des travaux consacrés à l'étude des défauts ponctuels observés par des mesures électriques sur du silicium irradié par laser pulsé. Dans le cas du silicium amorphisé par implantation, il est montré que les effets de queue de distribution sont responsables de la majorité des défauts résiduels observés. Par contre, des analyses effectuées sur du silicium légèrement endommagé, ont montré qu'il est difficile de recuire certains défauts ponctuels quand la durée d'impulsion diminue. Enfin, l'étude des défauts ponctuels créés par le processus laser dans le silicium vierge met en évidence, essentiellement, des états donneurs. Ces derniers introduisent un effet de compensation des matériaux de type P.

Abstract
Works devoted to the study of point defects in pulsed laser annealed silicon are reviewed by means of electrical characterization. Tailing effects of the implanted distribution are responsible for the observed residual defects in the case of a layer amorphized by ion implantation. However, difficulty in annealing some kinds of point defects by reducing the duration of laser pulse have been shown using slightly disordered silicon. Finally, in the case of irradiated virgin silicon, a high level of point defects are created, which are essentially donor levels that introduce a compensating effect in P-type silicon.