SOME ASPECTS OF THE MEASUREMENTS OF ELECTRICAL EFFECTS OF DISLOCATIONS IN SILICON USING A COMPUTERISED EBIC SYSTEM

Résumé
On décrit un système comprenant un microscope à balayage JSM-35X et un mini-ordinateur PDP11/03 servant au contrôle et à l'acquisition de données d'un détecteur synchrone utilisé en EBIC. A l'origine ce système à été mis en oeuvre pour des mesures de contraste EBIC de dislocations individuelles introduites par déformation dans Si. De façon à interpréter plus complètement les mesures de contraste, il est nécessaire de déterminer la longueur de diffusion des porteurs minoritaires. Celle-ci a été mesurée entre 110K et 300K sur des échantillons de Si de type n contenant des réseaux de dislocations introduits par déformation. Ces résultats permettent d'interpréter les mesures de contraste des dislocations.

Abstract
A system is described incorporating a PDP11/03 minicomputer for control and on-line data collection of a lock-in EBIC set up based on a JSM-35X SEM. The system has been primarily used for the measurement of EBIC contrast from individual deformation-induced dislocations in Si. In order to interpret the contrast results more fully, it is necessary to know the minority carrier diffusion length. This has been measured at 110K and 300K for an n-type Si specimen containing deformation induced dislocation networks. The significance of the results on the interpretation of the dislocation contrast measurements is described.