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J. Phys. Colloques
Volume 43, Numéro C5, Décembre 1982
Colloque International sur l'Epitaxie des Semiconducteurs / Epitaxial Growth of Semiconductor Material
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| Page(s) | C5-313 - C5-319 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982536 | |
J. Phys. Colloques 43 (1982) C5-313-C5-319
DOI: 10.1051/jphyscol:1982536
SELECTIVE ETCHING OF n-TYPE GaAs IN A CrO3-HF-H2O SYSTEM UNDER LASER ILLUMINATION
J.L. Weyher1, 2 et J. Van de Ven11 Faculty of Science, R.I.M. Department of Solid State III, Catholic University, Toernooiveld, 6525 ED Nijmegen, The Netherlands
2 "Institute of Materials Science and Engineering", Warsaw Technical University, ul. Narbutta 85, 02-524 Warsaw, Poland
Résumé
Une grande gamme de mélanges CrO3/HF en forme diluée et sous éclairement laser (λ = 6328 Å) est utile pour révéler les défauts de GaAs {100} type n. Après une profondeur d'attaque de la surface de GaAs de 0,2-0,4 µm, les stries, dislocations, fautes d'empilement et inclusion sont révélées. Ces solutions d'attaque peuvent donc être utilisées pour étudier les défauts des couches épitaxiées de GaAs. Les traits caractéristiques des figures d'attaque sont similaires à ceux obtenus avec la méthode DABL (AB dilué sous éclairement laser) mais certaines propriétés du système CrO3-HF-H2O sont avantageuses. La composition de la solution (dans de larges limites) n'est pas critique pour la révélation des défauts (bien que la cinétique d'attaque dépende de la composition), la méthode est reproductible, il n'y a pas de précipités qui se forment dans la solution, ni d'effet mémoire. Ces solutions diluées type Sirtl sous éclairement laser (DSL) ont été calibrées avec la solution AB et composées avec la méthode DABL.
Abstract
A wide range of CrO3/HF mixtures in diluted form and under laser illumination (λ = 6328 Å) have been found to be useful for defect revealing in n-type {100} GaAs. After removal of 0.2 - 0.4 microns from the GaAs surface, striations, dislocations, stacking faults and inclusions are revealed, so these etchants can be used to study defects in GaAs epitaxial layers. The characteristic features of the etch figures are similar to those obtained with the DABL method (diluted AB etch under laser ill.) but some properties of the CrO3-HF-H2O system are advantageous : the composition of etchants (within wide limits) is not critical for the defect revealing mode (although the kinetics of etching are composition dependent), no precipitates are formed in solution, high reproducibility of the method, no memory effect. These diluted Sirtllike etchants used with laser (DSL) were calibrated with AB-etch and compared with the DABL method.