H₂Se DOPING OF MOCVD GROWN GaAs AND GaAlAs

Résumé
L'étude de la croissance des couches épitaxiées de GaAs et GaAlAs par le procédé MOCVD met en évidence une relation superlinéaire entre le dopage type n et la fraction molaire H₂Se dans la phase gazeuse. Cet effet superlinéaire est observé à la fois pour les dépôts effectués sous pression atmosphérique et pour ceux obtenus sous pression réduite. L'effet anormal de dopage est comparé au dopage H₂S pour lequel une relation linéaire de dopage a été observée. Les mécanismes d'incorporation du dopage sont différents pour le souffre et le sélenium et les divers mécanismes de croissance possibles sont discutés.

Abstract
In the growth of epitaxial layers of GaAs and GaAlAs by the MOCVD process a superlinear relationship between the n-type doping and the H₂Se mole fraction in the gas phase has been found. This superlinear effect has been observed both with atmospheric and reduced pressure depositions. The anomalous doping effect is compared to H₂S doping where a linear doping relationship has been observed. The dopant incorporation mechanism for sulphur and selenium are different and the possible growth mechanisms are discussed.