Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 41, Numéro C6, Juillet 1980
THIRD EUROPHYSICS TOPICAL CONFERENCE
LATTICE DEFECTS IN IONIC CRYSTALS
Page(s) C6-312 - C6-314
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1980679
THIRD EUROPHYSICS TOPICAL CONFERENCE
LATTICE DEFECTS IN IONIC CRYSTALS

J. Phys. Colloques 41 (1980) C6-312-C6-314

DOI: 10.1051/jphyscol:1980679

Defect formation of LiH at low temperature

M. Ikeya1, 2, 3 et T. Miki1, 2

1  II. Physikalisches Institut der Universität Stuttgart, 7000 Stuttgart-Vaihingen Pfaffenwaldring 57
2  Technical Coolege, Yamaguchi University, Ube, Yamaguchi 755, Japan
3  Research Fellow of Alexander von Humbolt Foundation BRD, at II. Physikalisches Institut der Universität Stuttgart


Résumé
La formation de défauts dans LiH à basse température a été étudiée par des mesures de RPE, d'absorption optique de thermoluminescence (TL), de courant thermostimulé (TSC). Les larges signaux de RPE, qui sont attribués à des paires de défauts de Frenkel proches dans une interaction d'échange, disparaissent en s'accompagnant de TL mais pas de TSC. L'interprétation des résultats conduit à la recombinaison d'atome interstitiel d'hydrogène avec un centre F proche suivant la TL caractéristique ou à leur diffusion pour former des cavités d'hydrogène.


Abstract
Defect formation of LiH at low temperature has been studied with the measurements of ESR, optical absorption, thermoluminescence (TL), thermally stimulated current. The broad ESR signals attributed to closed pairs of Frenkel defects in an exchange interaction disappear accompaning TL but not TSC. The results are interpreted that interstitial atom of hydrogen recombine with nearby F center following the characteristic TL or diffuse to form hydrogen voids.