Limiting processes for the defect accumulation under electron irradiation in KBr at 4 K

Résumé
Les cinétiques de croissance de tous les défauts (F, F⁺, H, H₂, I, V_k) créés dans KBr par irradiation électronique ont été étudiées dans un large domaine de concentration (10¹⁶-5 x 10¹⁹ cm_-3), à 4 K, température à laquelle aucun des défauts n'est thermiquement mobile. Les lois de croissance sont interprétées en considérant la limitation du rendement de création des nouvelles paires de Frenkel par les interstitiels stabilisés. A très haute concentration, la possibilité de recombinaison des centres H, lors de leur déplacement sous forme de crowdion avec les centres F présents, entraîne une nouvelle diminution du rendement d'accumulation des centres F. Nos résultats suggèrent, en outre, une limitation indépendante de la croissance des centres F et F⁺, donc des processus de formation indépendants.

Abstract
The growth kinetic in a wide range of concentrations (10¹⁶-5 x 10¹⁹ cm^-3) of all defects (F, F⁺, H, H₂, I, V_k) created in pure KBr by electron irradiation have been studied at 4 K, temperature at which no defect is thermally mobile. The kinetic shapes are explained by considering a local action of the stabilized interstitiel centers decreasing the creation yield of new Frenkel pairs. At concentration higher than 10¹⁹ cm^-3, the decrease of the F center accumulation yield is due to the possibility of uncorrelated recombinations of the F centers and the H centers moving as dynamical crowdions. Our results suggest also an independent limitation of F and F⁺ center growth, thus independent formation processes.