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J. Phys. Colloques
Volume 42, Numéro C7, Octobre 1981
Third International Conference on Hot Carriers in Semiconductors
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| Page(s) | C7-111 - C7-116 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1981711 | |
Third International Conference on Hot Carriers in Semiconductors
J. Phys. Colloques 42 (1981) C7-111-C7-116
DOI: 10.1051/jphyscol:1981711
Gruppo Nazionale di Struttura della Materia, Istituto di Fisica dell' Università di Modena, Via Campi 213/A, 41100 Modena, Italy
J. Phys. Colloques 42 (1981) C7-111-C7-116
DOI: 10.1051/jphyscol:1981711
THE METHOD OF MOMENTS FOR THE ANALYSIS OF TRANSIENT HOT-CARRIER PHENOMENA
L. Reggiani, R. Brunetti et C. JacoboniGruppo Nazionale di Struttura della Materia, Istituto di Fisica dell' Università di Modena, Via Campi 213/A, 41100 Modena, Italy
Résumé
La méthode des moments est proposée pour analyser le comportement de la vitesse de dérive et du coefficient de diffusion en régime non stationnaire. Les résultats obtenus avec la méthode de Monte Carlo dans Si, Ge, CdTe sont interprétés par référence aux collisions des porteurs avec le réseau et à la structure des bandes d'énergie de conduction.
Abstract
The method of moments is here suggested to analyse the transient behaviour of drift velocity and diffusion coefficient. Monte Carlo results obtained for Si, Ge and CdTe are reported and interpreted with reference to scattering mechanisms and peculiarities of the band structure of these semiconductors.