AMORPHISATION, RECRISTALLISATION ET ACTIVITÉ ÉLECTRIQUE DE COUCHES DE SILICIUM IMPLANTÉES

Résumé
On étudie, par rétrodiffusion de particules chargées, la dose d'ions ²⁸Si⁺ (10-60 keV) nécessaire pour rendre amorphe un monocristal de silicium. A 300 K, celle-ci est de 1 à 3 × 10¹⁵ cm^-2 ; elle est donc plus importante que les valeurs trouvées préalablement par la même technique, mais assez proche de celles utilisant d'autres méthodes. D'autres ions de masse voisine (²⁷Al⁺, ³¹P⁺) ont conduit à des valeurs similaires. Des analyses de recristallisation des zones bombardées après des recuits jusqu'à 1 100 °C ont mis en évidence une influence de la nature des ions ; par ailleurs des doses supérieures au seuil de création d'une couche amorphe se traduisant par une guérison différente du matériau aux températures élevées.

Abstract
The dose of ²⁸Si⁺ ions (10-60 keV) required to the amorphisation of silicon crystals is studied by the backscattering technique. The result at 300 K (1-3 × 10¹⁵ cm^-2) is larger than the values obtained by other measurements using the same technique, but close to those found with other methods. Neighbouring masses ions (²⁷Al⁺, ³¹P⁺) give nearly the same result. The reordering of bombarded zones after annealing (up to 1 100 °C) is shown to depend on the nature of the ion ; moreover, for doses higher than the amorphisation threshold, the crystal annealing occurs in a different manner at high temperatures.