NOISE OF GaAs DIODES

Résumé
L'étude à faible polarisation d'une diode n⁺nn⁺ GaAs à profil de dopage réel montre, par comparaison entre le bruit expérimental et le bruit modélisé, que la méconnaissance actuelle de la variation précise du coefficient de diffusion D(E), en fonction du champ électrique E, peut conduire à une modélisation erronée, en particulier des caractéristiques de bruit de composants GaAs. Les profils de champ électrique et de densité de porteurs libres, sont étudiés également en mode d'oscillations Gunn.

Abstract
By comparing experimental and modelled noise results of a n⁺nn⁺ GaAs diode, we show that the lack of precise knowledge on the variation of the diffusion coefficient D(E), versus the electric field E, may lead to erroneous predictions, in particular as concerning the noise behaviour of GaAs devices. The electric field and free carrier density profiles are also studied in Gunn oscillation operating regime.