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J. Phys. Colloques
Volume 48, Numéro C5, Novembre 1987
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures
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| Page(s) | C5-431 - C5-434 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1987591 | |
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures
J. Phys. Colloques 48 (1987) C5-431-C5-434
DOI: 10.1051/jphyscol:1987591
Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Heisenbergstr. 1, D-7000 Stuttgart 80, F.R.G.
J. Phys. Colloques 48 (1987) C5-431-C5-434
DOI: 10.1051/jphyscol:1987591
TIME RESOLVED VERTICAL TRANSPORT IN GaAs/ALxGa1-xAs SUPERLATTICES
H. SCHNEIDER, K. v. KLITZING et K. PLOOGMax-Planck-Institut für Festkörperforschung, Heisenbergstr. 1, D-7000 Stuttgart 80, F.R.G.
Résumé
Nous avons étudié la dynamique de transport des porteurs de charge dans une région du superréseau de GaAs/AlxGa1-xAs avec un champ électrique. Nous observons les réponses temporelles thermiquement activées du système avec des énergies d'activation dépendant du champ électrique. Nous présentons un modèle d'émission thermo-ionique qui décrit bien les résultats expérimentaux.
Abstract
We have studied the dynamics of carrier transport in a biased GaAs/AlxGa1-xAs superlattice region. We observe themally activated response times with activation energies depending on the electric field and present a thermionic emission model which accurately describes the data.