| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 48, Numéro C5, Novembre 1987
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures
|
|
|---|---|---|
| Page(s) | C5-495 - C5-498 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19875105 | |
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures
J. Phys. Colloques 48 (1987) C5-495-C5-498
DOI: 10.1051/jphyscol:19875105
1 Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, D-7000 Stuttgart 80, F.R.G.
2 Optoelectronics Technology Research Laboratory, Toyosato, Tsukuba, Ibaraki 300-26, Japan
J. Phys. Colloques 48 (1987) C5-495-C5-498
DOI: 10.1051/jphyscol:19875105
POSITION AND CHARACTER (Ɖ OR X) OF ENERGY STATES IN SHORT-PERIOD (GaAs)m(AlAs)n SUPERLATTICES
J. NAGLE1, M. GARRIGA1, W. STOLZ1, T. ISU2 et K. PLOOG11 Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, D-7000 Stuttgart 80, F.R.G.
2 Optoelectronics Technology Research Laboratory, Toyosato, Tsukuba, Ibaraki 300-26, Japan
Résumé
Nous avons réalisé la croissance par épitaxie par jets moléculaires d'une série de superréseaux de courtes périodes (GaAs)m(AlAs)n incluant des échantillons avec m et n différents. Des mesures basse température de photoluminescence, d'excitation de la photoluminescence et d'ellipsometrie ont été effectuées pour établir la position et la nature des différents gaps électroniques.
Abstract
We have grown a series of (GaAs)m(AlAs)n short period superlattices by molecular beam epitaxy including samples with m=n and m≠n. Low temperature photoluminescence, excitation spectroscopy and ellipsometry measurements have been performed to determine the positions and origins of the different electronic states.