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J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C4, Septembre 1983
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
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| Page(s) | C4-437 - C4-443 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983451 | |
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-437-C4-443
DOI: 10.1051/jphyscol:1983451
Institut für Physik der Werkstoffbearbeitung der Akademie der Wissenschaften der DDR, DDR-1166 Berlin-Rahnsdorf, Seestrasse 82, D.R.G.
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-437-C4-443
DOI: 10.1051/jphyscol:1983451
CHARACTERIZATION OF DISLOCATIONS AND THEIR EFFECTS IN SILICON DEVICE TECHNOLOGY
M. Kittler, W. Seifert, E. Bugiel et H. RichterInstitut für Physik der Werkstoffbearbeitung der Akademie der Wissenschaften der DDR, DDR-1166 Berlin-Rahnsdorf, Seestrasse 82, D.R.G.
Résumé
On présente des études méthodiques des causes du contrast EBIC des dislocations et de son évaluation. On montre des applications de la méthode EBIC à la recherche de l'influence des dislocations sur les perfomances de composants, influence négative (augmentation du constant inverse) et positive (piégeage interne).
Abstract
Methodical studies on cause and valuation of the dislocation EBIC contrast are presented. The application of the EBIC method to investigations of negative (enhanced reverse current) and positive (intrinsic gettering) effects of dislocations on device performance are demonstrated.