QUANTITATIVE EVALUATION OF THE EBIC CONTRAST OF DlSLOCATIONS

Résumé
Cette communication examine l'évaluation quantitative des images des dislocations dans les semiconducteurs, qui sont obtenues par la microscopie électronique à balayage en mode induit (ou EBIC) et les modèles analytiques associés. On montre qu'une théorie du premier ordre décrit d'une manière adéquate les propriétés géométriques des images EBIC, tandis que les corrections d'ordre plus élevé peuvent améliorer l'évaluation quantitative du contraste. Des résultats récents de la littérature illustrent que les données de contraste peuvent être employées pour déterminer la vitesse de recombinaison linéaire d'une dislocation et, avec quelques hypothèses supplémentaires, la densité linéaire des centres de recombinaison.

Abstract
This paper discusses the quantitative evaluation of the images of dislocations in semiconductors, as obtained by charge collection (or EBIC) scanning electron microscopy, and the related analytical models. It is shown that a first-order theory describes adequately the geometrical properties of EBIC images, while higher order corrections may improve the quantitative evaluation of the contrast. Recent literature results illustrate that contrast data can be used to determine the line recombination velocity of a dislocation and, with some additional assumptions, the line density of recombination centers as well.