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J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C4, Septembre 1983
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
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| Page(s) | C4-277 - C4-287 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983433 | |
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-277-C4-287
DOI: 10.1051/jphyscol:1983433
CATHODOLUMINESCENCE STUDIES OF DISLOCATIONS IN SEMICONDUCTORS
M. DupuyLaboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Informatique, 38000 Grenoble, France
Résumé
Les divers accessoires du microscope à balayage qui permettent de réaliser des analyses en cathodoluminescence de semiconducteurs sont décrits. De brèves notions de spectroscopie sont rappelées. Les contrastes de dislocations sont classés en "usuels" (point noir, point noir et halo brillant) et "non usuels" (absence de contraste, contraste monochromatique brillant). Des exemples d'application récents sont donnés.
Abstract
The cathodoluminescence accessories of the scanning electron microscope for semiconductor examinations are described. Brief notions of spectoscopy are recalled. The dislocation contrasts are classified as "usual" (black dot, dot and halo) and "unusual" (no contrast, white contrast on monochromatic image). Examples of recent applications are given.