Colloque International sur l'Epitaxie des Semiconducteurs / Epitaxial Growth of Semiconductor Material

J. Phys. Colloques 43 (1982) C5-221-C5-227
DOI: 10.1051/jphyscol:1982526

THE VAPOR PHASE INTERACTION OF TRIMETHYLALUMINUM WITH GRAPHITE DURING OMVPE

D.W. Kisker¹, D.A. Stevenson², J.N. Miller³ et G.B. Stringfellow<sup>4

1</sup>  Max-Planck Institüt - Heisenbergstr. 1, 7000 Stuttgart 70 Fed. Rep. of Germany
²  Dept. of Materials Science, Stanford University, Stanford, CA 94305, U.S.A.
³  Hewlett Packard Labs, 1501 Page Mill Road, Palo Alto, CA 94304, U.S.A.
⁴  Dept. of Materials Science, University of Utah, Salt Lake City, UT 84112, U.S.A.

Résumé
Nous avons étudié l'interaction de (CH₃)₃Al avec les surfaces de graphite en utilisant un spectrometre de masse à jet moléculaire. Nos résultats indiquent un effect d'adsorption important qui explique des phénomènes observés pendant la croissance organométallique de Al_xGa_1-xAs comme des transitions lentes de la concentration d'aluminium, et la réduction de l'incorporation d'oxygène et de sélénium.

Abstract
We have used a moleculor beam mass spectrometer to study the interaction of trimethylaluminum (TMA) with graphite surfaces. Our results indicate that a strong adsorption effect occurs which explains phenomena occuring during OMVPE growth of Al_xGa_1-xAs, such as long Al transients, oxygen gettering, and reduced incorporation of selenium.