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J. Phys. Colloques
Volume 34, Numéro C5, Novembre 1973
CONGRÈS DU CENTENAIRE DE LA SOCIÉTÉ FRANÇAISE DE PHYSIQUEIMPLANTATION ET DÉFAUTS D'IRRADIATION |
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| Page(s) | C5-99 - C5-102 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973519 | |
IMPLANTATION ET DÉFAUTS D'IRRADIATION
J. Phys. Colloques 34 (1973) C5-99-C5-102
DOI: 10.1051/jphyscol:1973519
PROPRIÉTÉS VIBRATOIRES DU SILICIUM DOPÉ PAR IMPLANTATION D'IONS
J. F. MORHANGE, R. BESERMAN, C. SEBENNE and M. BALKANSKILaboratoire de Physique des Solides, associé au CNRS Université Paris VI, Paris V
Résumé
Les propriétés vibratoires du silicium implanté par des ions Si, P, A, Ga, As ont été étudiées par effet Raman. Les doses d'implantation varient de 1013 à 1016 ions/cm2 sous 80 keV. La perte d'énergie par unité de volume sous l'effet des processus nucléaires a été déterminée et est égale à 2,5 × 1024 eV/cm3. La profondeur de silicium rendu amorphe est comprise entre 500 et 1 000 Å. La température de guérison est comprise entre 550° et 595 °C.
Abstract
The vibrational properties of silicon implanted with Si, P, A, Ga and As have been studied using Raman spectroscopy. The implanted doses are included between 1013 and 1016 ions/cm2 under 80 keV. The energy deposited into nuclear processes per unit volume have been determined and is of the order of 2.5 × 1024 eV/cm3. The amorphous depth varies from 500Å to 1000 Å. The annealing temperature varies from 550 °C to 595 °C.