Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 43, Numéro C1, Octobre 1982
Colloque International du C.N.R.S. sur les Semiconducteurs Polycristallins / Polycrystalline Semiconductors
Page(s) C1-57 - C1-62
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982109
Colloque International du C.N.R.S. sur les Semiconducteurs Polycristallins / Polycrystalline Semiconductors

J. Phys. Colloques 43 (1982) C1-57-C1-62

DOI: 10.1051/jphyscol:1982109

ANTISYMMETRY OF SURFACES AND INTERFACES IN POLAR MATERIALS

R.C. Pond1 et D.B. Holt2

1  Department of Metallurgy and Materials Science, The University of Liverpool, P.O. Box 147, Liverpool L69 3BX, U.K.
2  Department of Metallurgy and Materials Science, Imperial College, London, U.K.


Résumé
On montre que l'antisymétrie de la structure de la sphalérite est isomorphe du groupe diamant Fd'[MATH]'m coloré si les sites associés avec des charges positives et négatives sont considérés comme équivalent sauf pour la couleur. Cette méthodologie permet de déduire la multiplicité et la polarité des surfaces externes du cristal. De plus, on montre que cette analyse est très utile pour l'étude des domaines intergranulaires, des joints de grains et des interfaces épitaxiées.


Abstract
It is shown that the antisymmetry of the sphalerite structure is isomorphous to the coloured diamond group Fd'[MATH]'m if sites associated with positive and negative charge are regarded as being equivalent except for colour. This methodology enables the multiplicity and polarity of external crystal surfaces to be deduced readily. In addition this analysis is shown to be very useful for the analysis of domain boundaries, grain boundaries and epitaxial interfaces.