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J. Phys. Colloques
Volume 51, Numéro C1, Janvier 1990
Proceeding of the International CongressIntergranular and Interphase Boundaries in materials |
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| Page(s) | C1-423 - C1-428 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1990165 | |
DOI: 10.1051/jphyscol:1990165
EBIC MEASUREMENTS OF A TRIPLE JUNCTION IN POLYCRYSTALLINE SILICON
A. BARY et G. NOUETLaboratoire d'Etudes et de Recherches sur les Matériaux, CNRS URA 1317, Institut des Sciences de la Matière et du Rayonnement, Boulevard du Maréchal Juin, F-14032 Caen Cedex, France
Abstract
Une jonction triple isolée dans le silicium polycristallin Polix-Photowatt a été examinée par MET et EBIC. Cette jonction triple est constituée d'un sous-joint, d'un joint proche d'une orientation de coïncidence et d'un joint général. Ces trois défauts contiennent des précipités. Par mesure quantitative du signal EBIC il est montré que la vitesse de recombinaison au niveau de ces différentes interfaces est proportionnelle à la densité de précipités.
Abstract
A triple junction cut from a polycrystalline silicon ingot has been analyzed by TEM and EBIC. This triple junction is made up of a low angle grain boundary, a near coincidence grain boundary and a general grain boundary. These three defects contain precipitates. It is shown that the recombination velocities measured from the EBIC signal are proportional to the precipitate density.