STRUCTURE AND LOCAL ELECTRICAL PROPERTIES OF GRAIN BOUNDARIES IN POLYCRYSTALLINE SEMICONDUCTORS

Abstract
The electrical properties of polycrystalline semiconductors are strongly related to their intergranular microstructures. It is first shown how the electrical behaviour of carriers can be basically deduced from the electronic structure of simple interfaces. Experimentally, bulk methods do not have usually a sufficient spatial resolution and do not permit a direct correlation between the local structure and the electrical properties. Local investigations, especially by in situ techniques in transmission electron microscopy are reported. Finally the key role of the distribution of the different types of boundaries to relate the local properties to the bulk behaviour is underlined.

Résumé
Les propriétés électriques des semiconducteurs polycristallins dépendent largement de la microstructure intergranulaire. Le comportement des porteurs peut être déduit de la structure électronique des interfaces simples. Les méthodes expérimentales globales n'ont pas, en général, une résolution spatiale suffisante et elles ne donnent pas une corrélation directe entre la structure locale et les propriétés électriques. Nous considérons les différentes informations locales obtenues principalement en microscopie électronique en transmission. Enfin, nous montrons que pour remonter des propriétés locales au comportement du matériau massif la distribution des différents types de joints est un paramètre essentiel.