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J. Phys. Colloques
Volume 51, Numéro C1, Janvier 1990
Proceeding of the International CongressIntergranular and Interphase Boundaries in materials |
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| Page(s) | C1-921 - C1-926 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19901145 | |
DOI: 10.1051/jphyscol:19901145
ATOMIC STRUCTURE OF INTERFACES IN GaAs/AlAs HETEROSTRUCTURES EFFECT OF LOCAL VARIATION IN THICKNESS
G. SCHIFFMACHER1, G. TESTE DE SAGEY1, J.Y. LAVAL2, C. DELAMARRE2 et A. DUBON21 U.P.R. 210 CNRS, 1 Place A. Briand, F-92195 Meudon Cedex, France
2 Laboratoire des Microstructures, CNRS ESPCI, 10, Rue vauquelin, F-75005 Paris, France
Abstract
The atomic structure of interfaces in GaAs/AlAs heterostructures was observed in high resolution electron microscopy. The visibility of the interfaces can be highly perturbed by local thickness variations which result from the ion-milling process of HREM specimens. Images were simulated from different types of models including hollows which account for such variations in thickness. A comparison with the observed images was performed for the different imaging conditions.
Abstract
Nous avons observé la structure atomique des interfaces de super réseaux GaAs/AlAs par microscopie électronique haute résolution. La lisibilité des interfaces peut être très perturbée par des variations locales d'épaisseur dues à la préparation des échantillons par amincissement ionique. Aussi avons-nous simulé des images en utilisant plusieurs modèles de "trous" qui rendent compte des variations d'épaisseur. La comparaison avec les images expérimentales a été faite pour les différentes conditions d'observation.