MINORITY-CARRIER DIFFUSION LENGTH : MEASUREMENTS BY EBIC, CONNECTION TO MATERIALS MICROSTRUCTURE AND RELATION TO DEVICE PERFORMANCE

Abstract
The existing EBIC techniques for diffusion-length (DL) determination are reviewed and a new technique using a wedge-shaped absorber is introduced. The reliability of DL data is tested by comparing different methods. Connections between DL and silicon microstructure (crystal defects, levels in the forbidden gap, impurities) are discussed. Finally, effects of DL on device behaviour (junction leakage, latch-up) are sketched.

Résumé
Les méthodes de détermination de longueur de diffusion (DL) par la technique EBIC sont passées en revue et une nouvelle méthode utilisant un absorbant en forme de coin est introduite. La fiabilité des mesures de longueur de diffusion est testée par comparaison avec différentes méthodes. La corrélation entre les valeurs de longueur de diffusion et la microstructure d'échantillon de silicium (défauts cristallins, niveaux d'énergie dans la bande interdite, impuretés) est discutée. Enfin, les effets de la longueur de diffusion sur le comportement du dispositif (fuite de jonction, auto-déclanchement) sont esquisés.