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J. Phys. Colloques
Volume 50, Numéro C5, Mai 1989
Actes de la 7ème Conférence Européenne sur les Dépôts Chimiques en Phase Gazeuse / Proceedings of the Seventh European Conference on Chemical Vapour Deposition
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| Page(s) | C5-667 - C5-672 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1989578 | |
J. Phys. Colloques 50 (1989) C5-667-C5-672
DOI: 10.1051/jphyscol:1989578
HIGH RATE DEPOSITION OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON USING MICROWAVE PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION PROCESS
DING-KUN PENG, CHUN-LIN WANG et GUANG-YAO MENGDepartment of Materials Science and Engineering, University of Science and Technology of China, Hefei, 230026, P.R. China
Résumé
Des films de aSi-H ont été obtenus avec des vitesses de dépôt importantes (90 A/sec) à partir de mélanges SiH4-H2 dans un dispositif CVD à plasma micro-onde. L'influence des paramètres (puissance, pression, débit, polarisation, localisation) sur la vitesse de dépôt et les propriétés des couches a été examinée. Les films sont caractérisés par la conductivité et son énergie d'activation, le gap optique et l'absorption IR. Pour des dépôts obtenus à raison de 30 à 90 A/sec, le signal de photoconductivité varie de 3.100 à 5.105. Le rendement de dépôt par rapport au silane est voisin de 100%.
Abstract
Hydrogenated amorphous silicon(a-Si : H) films with high deposition rate up to 90Å/sec have been obtained by using microwave plasma chemical vapor deposition(CVD) from SiH4-H2 mixtures. The effect of deposition parameters, such as, power, pressure, flow rate, bias and deposition site, on the deposition rate and film properties has been examined. Films were characterized by conductivity, dark conductivity activation energy, optical band gap, and Infrared absorption. In the deposition rate range of 30-90 Å/sec, the deposited films exhibited photoconductive gains between 3.0x100 to 5.0x105. The deposition efficiency or silane use factor was found to be nearly 100%.