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J. Phys. Colloques
Volume 50, Numéro C5, Mai 1989
Actes de la 7ème Conférence Européenne sur les Dépôts Chimiques en Phase Gazeuse / Proceedings of the Seventh European Conference on Chemical Vapour Deposition
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| Page(s) | C5-675 - C5-679 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1989579 | |
J. Phys. Colloques 50 (1989) C5-675-C5-679
DOI: 10.1051/jphyscol:1989579
UV PHOTON ASSISTED CVD OF SiO2 FOR LOW-DRIFT InP MISFET'S
P. DIMITRIOU, G. POST et A. SCAVENNECCNET, Laboratoire de Bagneux, 196, avenue Henri Ravera, F-92220 Bagneux, France
Résumé
Des couches de silice ont été déposées à basse température (100°-200°C) sur des substrats de InP par le procédé CVD assisté par photon UV avec photosensibilisation au mercure de mélanges SiH4-N20. Les propriétés électriques et physico-chimiques des couches isolantes et des interfaces isolant-semiconducteur ont été étudiées. La réduction de l'oxyde natif sur InP par l'hydrogène atomique, produit par photodécomposition UV de l'ammoniac avant dépôt de SiO2, permet de réduire la dispersion de la capacité MIS en fréquence et conduit à une réduction de la dérive du courant drain-source des transistors MIS InP.
Abstract
Silicon dioxide (SiO2) films were produced at low temperatures (100°-200°C) on InP substrates by mercury-photosensitized CVD from SiH4-N2O mixtures. Electrical and physico-chemical properties of the insulator films and insulator-semiconductor interfaces were investigated. Prior to the deposition of SiO2 films, the native oxide film on InP substrates was reduced by atomic hydrogen formed by UV photon-assisted decomposition of ammonia. This preliminary step was found to be effective in reducing the frequency dispersion of C-V characteristics and more importantly the drift in drain source current of InP MISFET's.