Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 50, Numéro C5, Mai 1989
Actes de la 7ème Conférence Européenne sur les Dépôts Chimiques en Phase Gazeuse / Proceedings of the Seventh European Conference on Chemical Vapour Deposition
Page(s) C5-567 - C5-574
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1989567
Actes de la 7ème Conférence Européenne sur les Dépôts Chimiques en Phase Gazeuse / Proceedings of the Seventh European Conference on Chemical Vapour Deposition

J. Phys. Colloques 50 (1989) C5-567-C5-574

DOI: 10.1051/jphyscol:1989567

CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION OF THIN FILMS IN THE SYSTEM B-P

E.M. KELDER, A. GOOSSENS, P.J. VAN DER PUT et J. SCHOONMAN

Delft University of Technology, Laboratory for Inorganic Chemistry, Julianalaan 136, NL-2628 BL Dolft, The Netherlands


Résumé
L' effet de la composition initiale des gaz et de la température par CVD classique sous pression atmosphérique à partir de BBr3-PBr3-H2 a été principalement étudié. La rugosité du substrat de silice fondue a été modifiée. Avec une augmentation de température et une décroissance du rapport BBr3/PBr3 on observe un changement de méchanisme de depôt du monophosphure cubique (on passe d'un contrôle cinétique au contrôle diffusionel). Dans le régime limité par la diffusion, on n'observe pas le dépôt de BP cubique si le substrat n'a pas de sites de nucléation. Dans ce cas, un film amorphe de BxP (x > 1) est obtenu ; sa teneur en phosphore dépend du rapport BBr3/PBr3.


Abstract
The effect of the growth parameters on the deposition of boron phosphides BxP by thermally activated atmospheric pressure CVD was studied for the boron tribromide - phosphorus tribromide - hydrogen system, with main emphasis on the reactant molar ratio and the temperature. The surface roughness of the fused silica substrates was varied. With increasing temperature and with decreasing BBr3/PBr3 molar ratio a transition in the growth mechanism for cubic boron monophosphide BP from kinetically controlled to diffusion controlled is observed. No deposition of cubic BP is observed in the diffusion controlled regime if the substrate exhibits a lack of nucleation sites. In this case a dense film of boron rich amorphous boron phosphide BxP (x > 1) is observed with a phosphorus content depending on the BBr3/PBr3 molar ratio during deposition.