CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION OF THIN FILMS IN THE SYSTEM B-P

Résumé
L' effet de la composition initiale des gaz et de la température par CVD classique sous pression atmosphérique à partir de BBr₃-PBr₃-H₂ a été principalement étudié. La rugosité du substrat de silice fondue a été modifiée. Avec une augmentation de température et une décroissance du rapport BBr₃/PBr₃ on observe un changement de méchanisme de depôt du monophosphure cubique (on passe d'un contrôle cinétique au contrôle diffusionel). Dans le régime limité par la diffusion, on n'observe pas le dépôt de BP cubique si le substrat n'a pas de sites de nucléation. Dans ce cas, un film amorphe de B_xP (x > 1) est obtenu ; sa teneur en phosphore dépend du rapport BBr₃/PBr₃.

Abstract
The effect of the growth parameters on the deposition of boron phosphides B_xP by thermally activated atmospheric pressure CVD was studied for the boron tribromide - phosphorus tribromide - hydrogen system, with main emphasis on the reactant molar ratio and the temperature. The surface roughness of the fused silica substrates was varied. With increasing temperature and with decreasing BBr₃/PBr₃ molar ratio a transition in the growth mechanism for cubic boron monophosphide BP from kinetically controlled to diffusion controlled is observed. No deposition of cubic BP is observed in the diffusion controlled regime if the substrate exhibits a lack of nucleation sites. In this case a dense film of boron rich amorphous boron phosphide B_xP (x > 1) is observed with a phosphorus content depending on the BBr₃/PBr₃ molar ratio during deposition.