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J. Phys. Colloques
Volume 50, Numéro C5, Mai 1989
Actes de la 7ème Conférence Européenne sur les Dépôts Chimiques en Phase Gazeuse / Proceedings of the Seventh European Conference on Chemical Vapour Deposition
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| Page(s) | C5-575 - C5-584 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1989568 | |
J. Phys. Colloques 50 (1989) C5-575-C5-584
DOI: 10.1051/jphyscol:1989568
AN INDUSTRIAL PROCESS FOR BPSG-TEOS
P. EPPENGA, E. SCHUIVENS et M. HENDRIKSASM Micro Electronics Technology Centre, PO Box 100, NL-3720 AC Bilthoven, The Netherlands
Résumé
Des dépôts d'oxyde de silicium dopé Bore et Phosphore ont été effectués à parti de Tétraéthyl-Orthosilicate (TEOS), phosphine (PH3), oxygène et triméthylborate (TMB). Le phénomène d'activation de décomposition du TEOS par PH3 et O2 est attribué à une reaction en surface combinée à la présence de P2O5 à la surface du film. L'influence du debit de PH3, de la température, de la pression et du debit de TEOS est décrite pour une procédé comprenant 135 plaquettes de diamètre 150 mm. Nous décrivons aussi la méthode d'injection du TMB. Les résultats obtenus sont : une vitesse de dépôt de 110 Å/min et une uniformité de ± 4 % pour un film de composition 4 % en poids de phosphore (± 0.3) et 3.5 % en poids de bore (± 0.3).
Abstract
Boron and Phosphorus doped silicon oxide films (BPSG) were grown using Tetraethylorthosilicate (TEOS), PH3, O2 and Trimethylborate (TMB). The catalytic decomposition of TEOS by PH3 and O2 is attributed to surface controlled reactions related to the presence of P2O5 at the film surface. The influence of PH3 flow, temperature, pressure and TEOS flow is described for a process with a physical load of 135 150 mm wafers. The method of TMB injection is discussed. The results achieved are a deposition rate of 110 Å/min and uniformities of ± 4 % for a film composition of 4 ± 0.3 wt% P and 3.5 ± 0.3 wt% B.