| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 49, Numéro C4, Septembre 1988
ESSDERC 8818th European Solid State Device Research Conference |
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|---|---|---|
| Page(s) | C4-449 - C4-452 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988495 | |
ESSDERC 88
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-449-C4-452
DOI: 10.1051/jphyscol:1988495
Laboratoire d'Etudes des Propriétés Electroniques des Solides, CNRS, BP 166, F-38042 Grenoble Cedex, France, Associated with University Joseph Fourier, Grenoble, France
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-449-C4-452
DOI: 10.1051/jphyscol:1988495
0.9 eV POTENTIAL BARRIER SCHOTTKY DIODE ON 0.75-0.5 eV GAP GaxIn1-xAS\a-Si:H\Pt
A. DENEUVILLE, F. VALENTIN et S. BELKOUCHLaboratoire d'Etudes des Propriétés Electroniques des Solides, CNRS, BP 166, F-38042 Grenoble Cedex, France, Associated with University Joseph Fourier, Grenoble, France
Résumé
Les courbes I(V,T) de ces structures pour 1000 Å de a-Si : H et x = 0.2 et 0.47 sont similaires à celles des diodes Pt/a-Si : H et en conséquence contrôlées par l'interface Pt/a-Si : H. Ceci ouvre de nouvelles perspectives pour les MESFET sur GaxIn1-xAs.
Abstract
The I(V,T) curves of such structures for 1000 Å of a-Si : H and x = 0.2 and 0.47 are both similar to those of Pt/a-Si : H diodes, so controlled by the Pt/a-Si : H interface. This opens new perspectives for MESFET on GaxIn1-xAs.