| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 49, Numéro C4, Septembre 1988
ESSDERC 8818th European Solid State Device Research Conference |
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| Page(s) | C4-445 - C4-448 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988494 | |
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-445-C4-448
DOI: 10.1051/jphyscol:1988494
RAPID THERMAL ANNEALING OF TiW SCHOTTKY CONTACTS ON GaAs
M. VAN HOVE, M. de POTTER, W. DE RAEDT, G. ZOU et M. VAN ROSSUMIMEC vzw, Kapeldreef 75, B-3030 Leuven, Belgium
Résumé
La stabilité de l'interface TiW/GaAs durant le recuit rapide à des températures allant de 700°C à 1050°C a été étudiée avec les techniques SIMS, Auger, RBS, XRD, TEM à haute résolution, EDS, et des mesures IV et CV. Les mesures de contacts Schottky ont démontré une forte croissance de hauteur de barrière, allant de 0.70eV après déposition à 0.95eV après un recuit à 950°C. Les résultats indiquent une augmentation artificielle de la hauteur de barrière due au dopage de type p du substrat par une diffusion de Ti.
Abstract
The stability of the TiW/GaAs interface during rapid thermal annealing at temperatures between 700°C and 1050°C has been investigated using SIMS, Auger, RBS, XRD, cross-sectional TEM, EDS, IV and CV analysis. Schottky contact measurements showed a steady increase of the barrier height with annealing temperature from the as-deposited value of 0.70eV to 0.95eV after annealing at 950°C. The results are consistent with an artificial barrier height enhancement due to p-doping of the substrate by indiffusing Ti.