Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 49, Numéro C4, Septembre 1988
ESSDERC 88
18th European Solid State Device Research Conference
Page(s) C4-421 - C4-424
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988489
ESSDERC 88
18th European Solid State Device Research Conference

J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-421-C4-424

DOI: 10.1051/jphyscol:1988489

CMOS TECHNOLOGY USING PLASMA NITRIDED OXIDE AS A GATE DIELECTRIC

A. STRABONI, M. BERENGUER, B. VUILLERMOZ, P. DEBENEST, A. VERNA et P. DARS

Centre National d'Etudes des Télécommunications, CNET Grenoble, Chemin du Vieux Chêne, BP 98, F-38243 Meylan Cedex, France


Résumé
Une nouvelle technique de nitruration plasma d'oxyde a été développée pour les isolants de grille très minces. Les propriétés d'interface sont conservées après nitruration en plasma d'ammoniac à 950°C. Un excellent comportement des transistors à grille nitrurée lors d'expériences de vieillissement a été relevé ; l'absence de défauts dus au plasma illustrée par les rendements de mémoires SRAM indique la compatibilité du procédé avec la production.


Abstract
A new technique of plasma nitriding oxide has been developed for very thin gate insulators. The interfacial properties are preserved after plasma nitridation in ammonia at 950°C. Excellent behaviour is observed during aging experiments on transistors using nitrided oxide as the dielectric gate ; the absence of defects due to the plasma as illustrated by the yield achieved for SRAM memories suggests the process compatibility with production.