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J. Phys. Colloques
Volume 49, Numéro C4, Septembre 1988
ESSDERC 8818th European Solid State Device Research Conference |
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| Page(s) | C4-417 - C4-420 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988488 | |
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-417-C4-420
DOI: 10.1051/jphyscol:1988488
PROCESS DEPENDENCE OF HOLE TRAPPING IN NITRIDED SiO2 FILMS
M. SEVERI, M. IMPRONTA, L. DORI et S. GUERRICNR, Istituto LAMEL, Via de' Castagnoli n.1, I-40126 Bologna, Italy
Résumé
On a effectué une analyse sistématique du piégeage des trous dans des couches minces (20-30 nm) d'oxide nitruré avec la technique de l'injection à avalanche, en fonction des conditions de nitruration. La nitruration réalisé à températures relativement basses (700-800°C) et pour des temps courts produit une augmentation des pièges des trous. La reduction du piégeage des trous peut être obtenue seulement avec des conditions de nitruration plus sévères. On a étudié aussi l'effet du récuit en atmosphère d'oxygène après nitruration.
Abstract
A systematic investigation of hole trapping in 20-30 nm nitrided oxides as a function of the nitridation conditions were performed using the avalanche injection technique. Nitridation carried out at relatively low temperatures (700-800°C) and for short times brings about an increase of hole traps. Hole trapping reduction can only be achieved for more severe nitridation conditions. The effect of postnitridation annealing in oxygen was also studied.