Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 49, Numéro C4, Septembre 1988
ESSDERC 88
18th European Solid State Device Research Conference
Page(s) C4-375 - C4-378
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988478
ESSDERC 88
18th European Solid State Device Research Conference

J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-375-C4-378

DOI: 10.1051/jphyscol:1988478

PEDESTAL BIPOLAR TRANSISTOR WITH POLYSILICON ACTIVE BASE AND EMITTER WHICH ACHIEVES MINIMIZED CAPACITANCES

F. HÉBERT1, 2 et D.J. ROULSTON1

1  Electrical Engineering Department, University of Waterloo, Waterloo, Ont. N2L-3G1, Canada.
2  Avantek Inc., Advanced Bipolar Products, 39201 Cherry Street , Newark, CA 94560, U.S.A.


Résumé
Des transistors bipolaires qui utilisent une couche de polysilicium doper de bore pour la base intrinsèque (sur silicium monocristallin) et extrinsèque (sur oxyde), et un émetteur polycristallin doper de phosphore, ont été realisés avec des gains en courant inverses jusqu'à 10. Le processus de fabrication est basé sur la déposition normale de couches polycristallines, suivie d'une recristallisation qui dépent du doping.


Abstract
Bipolar transistors using a boron doped polysilicon layer for the intrinsic (on monocrystalline silicon) and extrinsic base regions (on field oxide), and a phosphorous doped polysilicon emitter, have been realized with upward current gains up to 10. The process is based on standard polysilicon film deposition followed by doping dependent recrystallization.