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J. Phys. Colloques
Volume 49, Numéro C4, Septembre 1988
ESSDERC 8818th European Solid State Device Research Conference |
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| Page(s) | C4-371 - C4-374 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988477 | |
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-371-C4-374
DOI: 10.1051/jphyscol:1988477
UNIFIED MODEL FOR BIPOLAR TRANSISTORS INCLUDING THE VOLTAGE AND CURRENT DEPENDENCE OF THE BASE AND COLLECTOR RESISTANCES AS WELL AS THE BREAKDOWN LIMITS
F. HÉBERT1, 2 et D. J. ROULSTON11 Electrical Engineering Department, University of Waterloo, Waterloo, Ont. N2L-3G1, Canada
2 Avantek Inc., Advanced Bipolar Products, 39201 Cherry Street, Newark, CA 94560, U.S.A.
Résumé
Un modèle pour transistor bipolaire, qui tient compte des variations des résistances de base et de collecteur avec la tension émetteur-base, la tension collecteur-base et le courant collecteur, ainsi que la dépendence en tension de la charge de base et le claquage par avalanche, est présenté. Un bon accord entre les simulations par ordinateur et expérimentations est obtenu.
Abstract
A unified bipolar transistor model, which takes into account the variation of the base and collector resistances with emitter-base voltage, collector-base voltage and collector current, as well as the voltage dependence of the base charge and the avalanche breakdown, is presented. The agreement between computer simulations and experiments is shown to be very good.