| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 49, Numéro C4, Septembre 1988
ESSDERC 8818th European Solid State Device Research Conference |
|
|---|---|---|
| Page(s) | C4-149 - C4-152 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988429 | |
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-149-C4-152
DOI: 10.1051/jphyscol:1988429
NUMERICAL SIMULATIONS TO IMPROVE THE ACCURACY OF ELECTRON-BEAM TESTING ON PASSIVATED INTEGRATED CIRCUITS
H. FREMONT1, A. TOUBOUL2, D. GOBLED1 et Y. DANTO21 Texas Instruments-France, BP 05, F-06270 Villeneuve Loubet, France
2 IXL, CNRS-UA 846, Université de Bordeaux I, F-33405 Talence Cedex, France
Résumé
L'analyse sans contact au MEB des circuits intégrés par contraste de potentiel est non destructive. De plus, cette méthode permet par couplage capacitif l'évaluation du potentiel de pistes enfouies sous une couche isolante. Pour augmenter la précision des mesures par cette technique, une simulation numérique en deux dimensions est utilisée. Nous avons en particulier étudié l'influence du potentiel des pistes voisines et de la grille d'extraction, ainsi que le rôle du positionnement du faisceau sur la précision des mesures.
Abstract
The Scanning Electron Microscope associated with a Voltage Contrast system is a contactless and non-destructive tool for the test of VLSI Circuits. Moreover, the potential of passivated tracks can be evaluated by Capacitive Coupling Voltage Contrast (CCVC). This paper presents a numerical simulation applied to improve the accuracy of CCVC measurements. Particularly, the role of the location of the beam, and the influence of the potential of the neighbouring tracks and of the extraction grid is studied.