| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 49, Numéro C4, Septembre 1988
ESSDERC 8818th European Solid State Device Research Conference |
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| Page(s) | C4-689 - C4-692 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19884144 | |
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-689-C4-692
DOI: 10.1051/jphyscol:19884144
VERY RAPID GROWTH OF HIGH QUALITY GaAs, InP AND RELATED III-V COMPOUNDS
M. DESCHLER, K. GRÜTER, A. SCHLEGEL, R. BECCARD, H. JÜRGENSEN et P. BALKInstitute of Semiconductor Electronics, Aachen Technical University, D-5100 Aachen, F.R.G.
Abstract
Application of the hydride growth process at overall pressures below 5x103 Pa yields very high rates of deposition for binary (GaAs, InP) and ternary (GaInAs, GaAsP) III-V semiconductor films. It is proposed that at these conditions the hydrides AsH3 and PH3 reach the substrate surface undecomposed and react directly with the group III chloride (GaCl, InCl). The rates can be convenently adjusted over a wide range by varying the reactant pressures. Films of excellent morphology with low background doping, high electron mobilities and well resolved PL spectra were obtained.
Résumé
Des vitesses de croissance pour les semiconducteurs III-V binaires (GaAs, InP) et ternaires (GaAsP, GaInAs) très élevées ont été obtenues en conduisant le procédé de croissance dans le système à hydrure à une pression totale inférieure à 5.103 Pa. A ces conditions, les hydrures AsH3 et PH3 semblent atteindre le substrat non décomposé et réagissent directement avec les chlorures du groupe III (GaCl, InCl). Les vitesses de croissance peuvent être ajustées dans un domaine étendu par une variation de la pression partielle des différents composants de la réaction. Les couches possèdent une bonne morphologie de surface, un faible niveau de dopage et une grande mobilité des électrons. De plus, les spectres de photoluminescence obtenus sur ces couches montrent des signaux bien résolus.