| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 49, Numéro C4, Septembre 1988
ESSDERC 8818th European Solid State Device Research Conference |
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|---|---|---|
| Page(s) | C4-681 - C4-685 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19884143 | |
ESSDERC 88
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-681-C4-685
DOI: 10.1051/jphyscol:19884143
SGS-Thomson Microelectronics, Central R&D/CIS/TDMC, BP 217, F-38019 Grenoble Cedex, France
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-681-C4-685
DOI: 10.1051/jphyscol:19884143
CAD MOSFET MODEL FOR EPROM CELLS
N. BALLAY et B. BAYLACSGS-Thomson Microelectronics, Central R&D/CIS/TDMC, BP 217, F-38019 Grenoble Cedex, France
Résumé
Un modèle CAO de transistor MOS pour la simulation électrique d'une cellule EPROM en mode d'écriture est proposé. Ce modèle est aussi proche que possible de la physique pour permettre au concepteur l'évaluation de plusieurs schémas et variantes de procédé. Il est valable en mode de claquage et prend en compte le courant de grille induit par les électrons chauds.
Abstract
A CAD model of NOS transistor suitable for circuit simulation of an EPROM cell during writing cycle is proposed. This model is as close as possible of physics to allow the designer to evaluate different schemes and changes in the process variables. It is reliable in the breakdown mode too and takes into account the gate current induced by channel hot electrons.