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J. Phys. Colloques
Volume 49, Numéro C4, Septembre 1988
ESSDERC 8818th European Solid State Device Research Conference |
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| Page(s) | C4-637 - C4-639 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19884133 | |
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-637-C4-639
DOI: 10.1051/jphyscol:19884133
A MINIATURIZED APPROACH TO THE CRYOELECTRONIC MAGNETIC FIELD EFFECT TRANSISTOR
W. CLAUSS, J. PARISI, J. PEINKE, U. RAU et R.P. HUEBENERPhysikalisches Institut, Lehrstuhl Experimentalphysik II, Universität Tübingen, Morgenstelle 14, D-7400 Tübingen, F.R.G.
Résumé
Le contrôle magnétique du courant filamentaire pendant le percement avalanchal dans semiconducteurs à basses températures représente un principe d'opération intéressant pour le dessin d'un transisteur basé sur l'effet d'un champ magnétique. Nous avons vérifié expérimentalement des configurations réduites en utilisant des lines superconductives pour la production d'un champ magnétique et de tous les intermédiaires. L'évaluation des performances caractéristiques importantes de notre conception du transisteur paraît être très prometteuse.
Abstract
Magnetic control of the filamentary current flow during avalanche breakdown in bulk semiconductors at low temperatures represents an interesting operation principle for the design of a magnetic field effect transistor. We have experimentally verified miniaturized device configurations using superconducting lines for the generation of the magnetic control field and all interconnections. The evaluation of the important performance characteristics of our transistor concept looks highly promising.