Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 48, Numéro C9, Décembre 1987
X-Ray and Inner-Shell Processes
Vol. 1
Page(s) C9-1117 - C9-1120
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:19879203
X-Ray and Inner-Shell Processes
Vol. 1

J. Phys. Colloques 48 (1987) C9-1117-C9-1120

DOI: 10.1051/jphyscol:19879203

RESONANCES IN THE PHOTOABSORPTION SPECTRUM OF THE SILICON TETRACHLORIDE MOLECULE NEAR THE SiK AND ClK EDGES

S. BODEUR1, 2, J. L. FERRER1, 3, I. NENNER1, 3, P. MILLIE3, M. BENFATTO4 and C.R. NATOLI4

1  LURE, Laboratoire mixte CEA, CNRS et MEN, Université Paris-Sud, F-91405 Orsay Cedex, France
2  Laboratoire de Chimie Physique, 11, Rue Pierre et Marie Curie, F-75231 Paris Cedex 05, France
3  CEA - IRDI/DESICP, Département de Physico Chimie, Centre d'Etudes Nucléaires de Saclay, F-91191 Gif-sur-Yvette Cedex, France
4  Laboratori Nazionali di Frascati, INFN, CP 13, I-00044 Frascati, Italy


Résumé
Le spectre de photoabsorption de SiCl4 en phase gaseuze a été mesuré à l'aide de la méthode du rendement total d'ionisation, près du seuil K du chlore (région 2800-3100 eV). Nous interprétons les résonances près du seuil en comparant ces spectres avec ceux obtenus près du seuil SiK et sur la base de deux calculs indépendants : un basé sur une méthode ab-initio avec interaction de configuration l'autre sur la méthode de diffusion multiple (MSMXα), les deux étant appliqués à la molecule avec coeur équivalent.


Abstract
Photoabsorption spectra of gas phase SiCl4 molecule has been measured using the total ionization yield method, near the chlorine K edge (2800-3100 eV region). We interpret the near edge resonances by comparing the spectra with those obtained near the SiK edge, and on the basis of two independent calculations : ab-initio CI calculations and Multiple Scattering model calculations (MSMXα), both applied to the core equivalent species.