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J. Phys. Colloques
Volume 48, Numéro C5, Novembre 1987
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures
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| Page(s) | C5-471 - C5-474 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1987599 | |
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures
J. Phys. Colloques 48 (1987) C5-471-C5-474
DOI: 10.1051/jphyscol:1987599
1 Groupe de Physique des Solides de l'ENS, Université Paris VII, T-23, 2, Place Jussieu, F-75251 Paris Cedex 05, France
2 Groupement Scientifique CNET-CNRS, 196, Rue Henri Ravera, F-92220 Bagneux, France
J. Phys. Colloques 48 (1987) C5-471-C5-474
DOI: 10.1051/jphyscol:1987599
STUDY OF VERTICAL TRANSPORT IN A SUPERLATTICE GaAs/AlAs BY TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE
J. BENHLAL1, P. LAVALLARD1, C. GOURDON1, R. GROUSSON1, M.L. ROBLIN1, A.M. POUGNET2 et R. PLANEL21 Groupe de Physique des Solides de l'ENS, Université Paris VII, T-23, 2, Place Jussieu, F-75251 Paris Cedex 05, France
2 Groupement Scientifique CNET-CNRS, 196, Rue Henri Ravera, F-92220 Bagneux, France
Résumé
En mesurant le comportement temporel de la luminescence d'un puits quantique en fonction de l'épaisseur du super-réseau qui le sépare de la surface de l'échantillon, nous déterminons le coefficient de diffusion dans le super-réseau. Nous montrons que les excitations qui diffusent sont des excitons du super-réseau.
Abstract
By measuring the luminescence time behaviour of an enlarged quantum well as a function of the superlattice thickness, we determine the diffusion coefficient in the superlattice. We show that very likely the excitations which diffuse are excitons.