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J. Phys. Colloques
Volume 48, Numéro C5, Novembre 1987
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures
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| Page(s) | C5-475 - C5-478 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19875100 | |
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures
J. Phys. Colloques 48 (1987) C5-475-C5-478
DOI: 10.1051/jphyscol:19875100
1 Laboratoire de Physique de la Matière Condensée, Ecole Polytechnique, F-91128 Palaiseau Cedex, France
2 Centre National D'Etudes des Télécommunications, 196, Rue Henri Ravera, F-92220 Bagneux, France
J. Phys. Colloques 48 (1987) C5-475-C5-478
DOI: 10.1051/jphyscol:19875100
LUMINESCENCE STUDY OF A SET OF Al0.27Ga0.73As/GaAs QUANTUM WELLS COUPLED TO A CONTINUUM
P. BRECHET1, C. HERMANN1, G. LAMPEL1, A. MOURCHID1 et F. ALEXANDRE21 Laboratoire de Physique de la Matière Condensée, Ecole Polytechnique, F-91128 Palaiseau Cedex, France
2 Centre National D'Etudes des Télécommunications, 196, Rue Henri Ravera, F-92220 Bagneux, France
Résumé
On a mesuré l'intensité de la photoluminescence d'une série d'échantillons comportant un nombre m de puits quantiques Al0.27Ga0.73As/GaAs (m = 1, 2, 10) couplés entre eux et à un continuum par une barrière de largeur d variable. L'étude en fonction de l'énergie et de l'intensité d'excitation montre l'importance des effets d'interfaces.
Abstract
We have measured the photoluminescence intensity of a series of samples with a number m of Al0.27Ga0.73As/GaAs quantum wells (m = 1, 2, 10) coupled to each other and to a continuum through a barrier with variable width d. The study versus the excitation energy and intensity emphasizes the importance of interface effects.