Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 48, Numéro C5, Novembre 1987
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures
Page(s) C5-389 - C5-392
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1987583
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures

J. Phys. Colloques 48 (1987) C5-389-C5-392

DOI: 10.1051/jphyscol:1987583

MAGNETO-OPTICS IN MODULATION-DOPED QUANTUM WELLS

T. RÖTGER1, J.C. MAAN1, P. WYDER1, F. MESEGUER2 et K. PLOOG3

1  Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Hochfeld-Magnetlabor, BP 166X, F-38042 Grenoble Cedex, France
2  Instituto de Física de Materiales (CSIC) and Departamento de Física Aplicada C-4, Universidad Autónoma, E-28049 Madrid, Spain
3  Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Heisenbergstrasse 1, D-7000 Stuttgart 80, F.R.G.


Résumé
Les spectres de photoluminescence et d'excitation de puits quantiques à modulation de dopage type n dans des champs magnétiques jusqu'à 22 T montrent que les distances inter-sous-bandes changent de manière périodique avec le champ. Nous montrons que ce comportement est dû au transfert d'électrons entre des sous-bandes à extension spatiale différente, qui modifie le potentiel de charge d'espace. La variation d'intensité de luminescence observée en fonction du champ est également expliquée par ce modèle.


Abstract
Photoluminescence and excitation spectra in n-modulation-doped quantum wells with 3 occupied subbands in magnetic fields up to 22 T show that the intersubband distances change with field in a periodic manner. This behaviour is shown to be due to the transfer of electrons between subbands with different spatial extension, thereby modifying the space charge potential. The observed variation of the luminescence intensity with fieldis also explained by this model.