ABSORPTION MODULATION IN FIELD EFFECT QUANTUM WELL STRUCTURES

Résumé
Nous présentons des études de la modulation d'absorption dans des puits quantiques InGaAs/InAlAs à modulation de dopage, utilisés comme canal conducteur de transistors à effet de champs. Par application d'un potentiel aux électrodes, la concentration électronique peut être variée continuement entre N ≈ 0 et N ≈ 6.5x10¹¹cm^-2. Cet effet donne d'importantes informations in situ sur le gas bidimensionnel d'électrons. De plus l'élimination complète de l'absorption autour des résonances n_z = 1 a des applications intéressantes en interconnection optique de l'électronique à base de semiconducteurs III-V et en optoélectronique.

Abstract
We present investigations of modulation of the absorption in InGaAs/InlAs modulation doped single quantum well structures used as conducting channel in field effect transistors. The electron concentration can be tuned continuously from N≈ 0 to N≈ 6.5x10¹¹cm^-2 using the gate voltage. The effects give in situ information on the 2D-electron gas. Furthermore the total quenching of the absorption seen at the n_z = 1 edge has potential applications to optical interconnects for III-V electronics and to lightwave optoelectronic devices.