| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 48, Numéro C5, Novembre 1987
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures
|
|
|---|---|---|
| Page(s) | C5-337 - C5-340 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1987572 | |
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures
J. Phys. Colloques 48 (1987) C5-337-C5-340
DOI: 10.1051/jphyscol:1987572
1 Groupe de Physique des Solides de l'Ecole Nomale Supérieure, 24, Rue Lhomond, F-75231 Paris Cedex 05, France
2 Department of Physics, University of Illinois at Chicago, Chicago, IL 60680, U.S.A.
J. Phys. Colloques 48 (1987) C5-337-C5-340
DOI: 10.1051/jphyscol:1987572
ELECTRON TRANSFER IN Hg1-xCdxTe-CdTe HETEROSTRUCTURES
G.S. BOEBINGER1, J.P. VIEREN1, Y. GULDNER1, M. VOOS1 et J.P. FAURIE21 Groupe de Physique des Solides de l'Ecole Nomale Supérieure, 24, Rue Lhomond, F-75231 Paris Cedex 05, France
2 Department of Physics, University of Illinois at Chicago, Chicago, IL 60680, U.S.A.
Résumé
Des expériences de magnéto-absorption à 1,6K dans des hétérojonctions HgCdTe-CdTe montrent qu'un gaz d'électrons bidimensionnel est formé à l'interface du côté HgCdTe. La masse effective des électrons des deux sous-bandes peuplées est mesurée et l'origine du transfert est discutée.
Abstract
Far infrared magneto-absorption experiments performed at 1.6K in HgCdTe-CdTe heterojunctions show that a two-dimensional electron gas is formed in the HgCdTe layer at the HgCdTe-CdTe interface. The electron effective masses of the two populated subbands is obtained and compared to previous theoretical calculations. The electron transfer across the interface involves deep traps in the CdTe layers.