Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 48, Numéro C5, Novembre 1987
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures
Page(s) C5-259 - C5-262
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1987555
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures

J. Phys. Colloques 48 (1987) C5-259-C5-262

DOI: 10.1051/jphyscol:1987555

ELECTRONIC STATES AND TRANSPORT PROPERTIES OF AN n-TYPE δ-FUNCTION DOPING LAYER IN p-TYPE Si

G. TEMPEL1, F. KOCH1, H.P. ZEINDL2 et I. EISELE2

1  Physik-Department E 16, Technische Universität München, D-8046 Garching, F.R.G.
2  Fachbereich Elektrotechnik, Universität der Bundeswehr, D-8014 Neubiberg, F.R.G.


Résumé
Des couches bien définies et extrèmement minces d'atomes de Sb ont été introduites dans le Si de type p pendant la déposition par MBE. Nous avons mesuré le transport parallel et perpendiculaire à la couche dopée. Ainsi nous avons déterminé les niveaux électroniques des sous-bandes 2-dimensionelles.


Abstract
An extremely sharp and well-defined sheet of Sb-dopant atoms can be embedded in Si with high p-type background during MBE growth. We have measured the transport parallel and perpendicular to the doping layer. The electronic levels of 2-dimensional subbands have been detected.