Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 48, Numéro C5, Novembre 1987
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures
Page(s) C5-569 - C5-572
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:19875123
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures

J. Phys. Colloques 48 (1987) C5-569-C5-572

DOI: 10.1051/jphyscol:19875123

CALCULATED PHONON SPECTRA OF Si/Ge SUPERLATTICES : ANALOGIES WITH OTHER SYSTEMS AND NEW FEATURES

A. FASOLINO1 et E. MOLINARI2

1  SISSA, Strada Costiera 11, I-34100 Trieste , Italy
2  CNR, Istituto di Acustica "Corbino", Via Cassia 1216, I-00189 Roma, Italy


Résumé
Les spectres de phonons de superréseaux Si/Ge dans la direction de la croissance ont été calculés. A côté des modes pliés et confinés comme dans le cas du systeme GaAs/AlAs, dans la direction (001) les résultats montrent aussi des modes d'interface dans la polarisation transverse et des modes résonants dans la polarisation longitudinale au bord de la région des fréquences où les modes de volume de Si et Ge se recouvrent. La dispersion, les vecteurs propres et la dépendance en fonction de l'épaisseur des couches de ces derniers modes ont un comportement très semblable à celui des modes proprement confinés.


Abstract
The phonon spectra of Si/Ge superlattices are calculated along the growth direction. Besides folded and confined modes, as in the more studied case of GaAs/AlAs systems, along (001) they show interface modes in the transverse polarization and resonant modes in the longitudinal one at frequencies just below the edge where the Si and Ge bulk modes start overlapping. The thickness dependence, dispersion and displacement patterns of the latter modes show their similarities to proper confined modes.