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J. Phys. Colloques
Volume 48, Numéro C5, Novembre 1987
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures
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Page(s) | C5-573 - C5-576 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19875124 |
J. Phys. Colloques 48 (1987) C5-573-C5-576
DOI: 10.1051/jphyscol:19875124
FOLDED AND UNFOLDED ACOUSTIC MODES IN LONG-PERIOD GaAs-AlAs SUPERLATTICES. A COMBINED RAMAN-BRILLOUIN STUDY
J. HE1, J. SAPRIEL1, J. CHAVIGNON1, R. AZOULAY1, L. DUGRAND1, F. MOLLOT2, B. DJAFARI-ROUHANI3 et R. VACHER41 CNET, 196, Avenue Henri Ravera, F-92220 Bagneux, France
2 CNRS, 196, Avenue Henri Ravera, F-92220 Bagneux, France
3 ISEA, 4, Rue des Frères Lumières, F-68093 Mulhouse Cedex, France
4 Université des Sciences et Techniques du Languedoc, F-34060 Montpellier Cedex, France
Résumé
Pour la première fois on observe simultanément les modes acoustiques directs (raies Brillouin) ainsi que les modes acoustiques repliés à des fréquences inférieures et supérieures aux raies Brillouin. Des courbes de dispersion très précises sont obtenues pour ces modes, à la fois pour les polarisations LA et TA et pour des vecteurs d'onde d'excitation dans la première et la seconde zone de Brillouin. Les intensités relatives des modes acoustiques repliés et des modes acoustiques directs sont mesurées et comparées à une théorie améliorée de l'interaction acousto-optique. L'accord est satisfaisant et permet une détermination précise du rapport p'13/p13 des constantes photoélastiques de AlAs et GaAs.
Abstract
Direct acoustic modes (Brillouin lines) as well as folded acoustic modes at frequencies higher and lower than the Brillouin lines are simultaneously observed. Both LA and TA polarizations are investigated and very precise dispersion curves are obtained for values of the excitation wavevectors lying in the first and second Brillouin zone. The relative intensities of folded and direct acoustic modes are measured and compared to an improved theory of acousto-optic interaction. The agreement is good and allow a precise determination of the ratio p'13/p13 of the photoelastic constants in AlAs and GaAs.