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J. Phys. Colloques
Volume 48, Numéro C5, Novembre 1987
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures
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| Page(s) | C5-499 - C5-502 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19875106 | |
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures
J. Phys. Colloques 48 (1987) C5-499-C5-502
DOI: 10.1051/jphyscol:19875106
Laboratoire de Microstructures et de Microélectronique, CNRS, 196, Avenue Henri Ravera, F-92220 Bagneux, France
J. Phys. Colloques 48 (1987) C5-499-C5-502
DOI: 10.1051/jphyscol:19875106
ELECTRIC FIELD ENHANCEMENT OF OPTICAL ABSORPTION IN GaAs-AlAs TYPE-II SUPERLATTICES
G. DANAN, F.R. LADAN, F. MOLLOT et R. PLANELLaboratoire de Microstructures et de Microélectronique, CNRS, 196, Avenue Henri Ravera, F-92220 Bagneux, France
Résumé
Nous observons l'augmentation de la probabilité de transition optique sous champ électrique longitudinal, dans des super-réseaux GaAs/AlAs de type "indirect". Cela prouve la séparation spatiale des électrons et des trous dans ces structures.
Abstract
The spatial separation of electrons and holes in GaAs/AlAs "indirect" type superlattices is evidenced by the enhancement of optical transition probability under a longitudinal electric field.