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J. Phys. Colloques
Volume 47, Numéro C8, Décembre 1986
EXAFS and Near Edge Structure IV
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| Page(s) | C8-1053 - C8-1056 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19868204 | |
J. Phys. Colloques 47 (1986) C8-1053-C8-1056
DOI: 10.1051/jphyscol:19868204
KRYPTON XANES STUDIES IN IMPLANTED SYSTEMS
J.I. BUDNICK1, D.M. PEASE1, M.H. CHOI1, Z. TAN1, G.H. HAYES2, F. NAMAVAR1 et H.C. HAYDEN11 Department of Physics and Institute of Materials Science, University of Connecticut, Storrs, CT 06268, U.S.A.
2 Optical Group Research, Perkin Elmer Corp., Danbury, CT 06810, U.S.A.
Résumé
On a mesure la dépendance en température de l'absorption des rayons X près du seuil K (XANES) pour le krypton implante dans du niobium, de l'aluminum et du grafoil. Pour les cibles d'aluminum et de grafoil on observe une augmentation des "white line" mesurées avec des basses températures. Après les mesures avec XANES, nos échantillons on été études par RBS.
Abstract
Temperature dependent K edge XANES of krypton have been measured for krypton implanted into niobium, aluminum and grafoil. For the cases of aluminum and grafoil targets, there is a marked enhancement of the observed white line for the XANES measured at lower temperatures. In addition to the XANES studies, our samples are further characterized by Rutherford backscattering spectroscopy.