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J. Phys. Colloques
Volume 47, Numéro C1, Février 1986
Thirteenth International Conference on Science of Ceramics
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| Page(s) | C1-297 - C1-301 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1986143 | |
Thirteenth International Conference on Science of Ceramics
J. Phys. Colloques 47 (1986) C1-297-C1-301
DOI: 10.1051/jphyscol:1986143
Department of Physics, Chalmers University of Technology, S-412 96 Göteborg, Sweden
J. Phys. Colloques 47 (1986) C1-297-C1-301
DOI: 10.1051/jphyscol:1986143
THE EVALUATION OF β-Si3N4 MICROSTRUCTURES USING PLASMA-ETCHING AS A PREPARATIVE TECHNIQUE
C. O'MEARA, P. NILSSON et G.L. DUNLOPDepartment of Physics, Chalmers University of Technology, S-412 96 Göteborg, Sweden
Résumé
Le décapage au plasma a été utilisé avec succès pour l'étude micro-structurelle de deux β-Si3N4 matériaux pour faciliter leur évaluation avec les méthodes d'analyse : SEM et TEM. L'utilisation de cette technique permet une caractérisation plus représentative des microstructures.
Abstract
Plasma-etching has been used successfully to delineate the microstructures of two β-Si3N4 materials in order to facilitate their evaluation by electron microscopy. The use of this technique results in a more representative evaluation of the microstructures.