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J. Phys. Colloques
Volume 47, Numéro C1, Février 1986
Thirteenth International Conference on Science of Ceramics
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| Page(s) | C1-303 - C1-308 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1986144 | |
J. Phys. Colloques 47 (1986) C1-303-C1-308
DOI: 10.1051/jphyscol:1986144
MICROSTRUCTURE OF Si3N4 FILMS DEPOSITED ON VARIOUS SUBSTRATES BY CVD
F. ANXIONNAZ1, M. PARLIER2, A. RIVIERE1 et M. LANCIN11 Laboratoire de Physique des Matériaux, C.N.R.S., 1, place Aristide Briand, F-92195 Meudon Cedex, France
2 Service OM, ONERA, 29, Avenue de la Division Leclerc, F-92320 Châtillon, France
Résumé
Nous avons préparé des bicouches afin d'étudier les relations qui existent entre les propriétés mécaniques et la microstructure de composites SiC-Si3N4. Des couches de Si3N4, obtenues à basse pression, par décomposition de si(CH3)4 dans une chambre isotherme à 1300°C, ont été déposées sur du SiC monocristallin ou fritté. Nous avons déterminé leurs structures cristallines par diffraction des rayons X. L'influence du substrat sur leur microstructure a été étudiée par microscopie électronique à balayage ou à transmission.
Abstract
To study the relationships between the mechanical properties and therostructure of SiC-Si3N4 composites, bilayers were prepared. By decomposition under low pressure of Si(CH3)4, in an isothermal chamber at 1300°C, layers of Si3N4 were deposited on single crystals of Sic and on sintered SiC. Their crystalline structures were determined by X-rays diffraction. The influence of the substrate on their microstructure was studied using scanning or transmission electron microscopy.